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2차원 곡면형 전극에서 정전기 흡착력의 아이소-지오메트릭 해석

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DC Field Value Language
dc.contributor.author오명훈-
dc.contributor.author김재현-
dc.contributor.author김현석-
dc.contributor.author조선호-
dc.date.accessioned2023-12-22T10:02:17Z-
dc.date.available2023-12-22T10:02:17Z-
dc.date.issued2021-08-
dc.identifier.issn1229-3059-
dc.identifier.issn2287-2302-
dc.identifier.urihttps://www.kriso.re.kr/sciwatch/handle/2021.sw.kriso/9585-
dc.description.abstract본 논문에서는 정전기 흡착패드를 구성하는 곡면형 전극의 기하학적 엄밀성을 고려하기 위해 정전기 문제에 대하여 CAD에서 사용하는 NURBS 기저함수를 직접 사용하는 아이소-지오메트릭 해석 기법을 도입하였다. 정전기 흡착력을 곡선 접촉면에서 구하는데 법선 벡터의 영향이 크므로 엄밀한 기하형상을 고려하는 아이소-지오메트릭 해석이 강점을 갖는다. 수치 예제를 통해 곡면과 평면에서 반복 구조의 유무에 따른 파라메터 연구를 수행하여 곡면형 전극의 흡착력이 좋은 성능을 가짐을 보였다. 정전기 흡착력의 성분을 분석하였을 때 정전기 흡착력의 차이는 법선 성분 전기장의 증가로 인한 것으로 파악되었다. 결론적으로 곡면형 전극에서도 전극 사이 거리가 가까워지는 아래로 볼록인 경우가 가장 성능이 좋고, 위로 볼록인 경우에는 성능이 가장 낮음을 보였다.-
dc.format.extent6-
dc.language한국어-
dc.language.isoKOR-
dc.publisher한국전산구조공학회-
dc.title2차원 곡면형 전극에서 정전기 흡착력의 아이소-지오메트릭 해석-
dc.title.alternativeIsogeometric Analysis of Electrostatic Adhesive Forces in Two-Dimensional Curved Electrodes-
dc.typeArticle-
dc.publisher.location대한민국-
dc.identifier.doi10.7734/COSEIK.2021.34.4.199-
dc.identifier.bibliographicCitation한국전산구조공학회논문집, v.34, no.4, pp 199 - 204-
dc.citation.title한국전산구조공학회논문집-
dc.citation.volume34-
dc.citation.number4-
dc.citation.startPage199-
dc.citation.endPage204-
dc.identifier.kciidART002749542-
dc.description.isOpenAccessN-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.subject.keywordAuthorNURBS 기저함수-
dc.subject.keywordAuthor맥스웰 응력텐서-
dc.subject.keywordAuthor정전기학-
dc.subject.keywordAuthor아이소-지오메트릭 해석-
dc.subject.keywordAuthor정전기 흡착력-
dc.subject.keywordAuthorNURBS basis-
dc.subject.keywordAuthormaxwell stress tensor-
dc.subject.keywordAuthorelectrostatics-
dc.subject.keywordAuthorisogeometric analysis-
dc.subject.keywordAuthorelectro-adhesive force-
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친환경해양개발연구본부 (친환경연료추진연구센터)
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